金融界2025年7月21日音讯，国家知识产权局信息数据显现，浙江晶越半导体有限公司请求一项名为“一种低氮含量高纯碳化硅粉料的组成办法及设备”的专利，公开号CN120328561A，请求日期为2025年06月。

  专利摘要显现，本发明触及碳化硅组成范畴，特别触及一种低氮含量高纯碳化硅粉料的组成办法及设备，所描绘的办法包含以下过程：（1）将高纯度碳粉与硅粉混合后装入反响容器，所述反响容器的内壁涂覆有细密抗高温涂层；（2）经过导气管对反响容器进行真空脱气处理，并通入惰性气体清洗反响环境；（3）加热反响容器至碳化硅组成温度，构成由反响容器内沿着导气管向外排放的定向气流；（4）在高温条件下，经过所述导气管内碳化硅堆积完结导气管封堵，阻隔外部气体污染；（5）完结碳化硅粉料的晶型改变，得到低氮含量高纯碳化硅粉料。本请求经过涂覆细密抗高温涂层以及导气管的设置物理阻隔外部氮气污染，系统性处理了传统工艺中氮杂质难以脱除的难题。

  天眼查资料显现，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，坐落绍兴市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。经过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参加招投标项目9次，产业线条，此外企业还具有行政许可4个。